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IPDD60R080G7XTMA1 Canal N Montaje en superficie 600V 29 A (Tc) 174W (Tc) PG-HDSOP-10-1
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1 7.13000 $7.13
10 6.41300 $64.13
100 5.27260 $527.26
500 4.41760 $2,208.80

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPDD60R080G7XTMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPDD60R080G7XTMA1

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Descripción MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 29 A (Tc) 174W (Tc) PG-HDSOP-10-1

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Documentos y medios
Hojas de datos IPDD60R080G7
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 600V G7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ G7
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 29 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 80 mOhm a 9.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 490 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1640pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 174W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-HDSOP-10-1
Paquete / Caja (carcasa) Módulo 10-PowerSOP
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPDD60R080G7XTMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPDD60R080G7XTMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,700
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $3.73552
  • Digi-Reel® ? : IPDD60R080G7XTMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 488 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

23:09:25 12/12/2018