• Artículo obsoleto.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPD90R1K2C3BTMA1

Descripción MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 900V 5.1 A (Tc) 83 W (Tc) PG-TO252-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPD90R1K2C3
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Devices EOL 31/Aug/2017
Embalaje de PCN Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
Cambio de estado de la pieza PCN Halogen Free Upgrade 22/Aug/2013
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Obsoleto
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 310 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 710pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 2.8 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPD90R1K2C3BTMA1CT
IPD90R1K2C3CT
IPD90R1K2C3CT-ND

01:32:08 2/23/2018

Enviar comentario