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IPD90P04P405ATMA1 Canal P Montaje en superficie 40V 90 A (Tc) 125 W (Tc) PG-TO252-3-313
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD90P04P405ATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 13,795
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD90P04P405ATMA1

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Descripción MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 90 A (Tc) 125 W (Tc) PG-TO252-3-313

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD90P04P4-05
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Test Add 27/Apr/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.7 mOhm a 90 A , 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 154nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-313
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPD90P04P405ATMA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.82000 $1.82
10 1.64300 $16.43
100 1.32000 $132.00
500 1.02670 $513.35
1,000 0.85069 $850.69

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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08:51:26 9/19/2018