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IPD90P03P404ATMA1 Canal P Montaje en superficie 30V 90 A (Tc) 137 W (Tc) PG-TO252-3
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1 1.95000 $1.95
10 1.76000 $17.60
100 1.41460 $141.46
500 1.10024 $550.12
1,000 0.91162 $911.62

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD90P03P404ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD90P03P404ATMA1

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Descripción MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 30V 90 A (Tc) 137 W (Tc) PG-TO252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD90P03P4-04
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Modelos de simulación OptiMOS-P2-Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.5 mOhm a 90 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 253 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 137 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
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IPD90P03P4-04INCT-ND
IPD90P03P404ATMA1CT
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12:45:25 11/13/2018