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IPD90N04S404ATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 90 A (Tc) 71W (Tc) PG-TO252-3-313
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100 0.78940 $78.94
500 0.61222 $306.11
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD90N04S404ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD90N04S404ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 90 A (Tc) 71W (Tc) PG-TO252-3-313

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD90N04S4-04
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Modelos de simulación OptiMOS-T2-40V-Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.1mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 35.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3440pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 71W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-313
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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