USD
Favorito

IPD600N25N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 250V 25 A (Tc) 136W (Tc) PG-TO252-3
Precio y compra
6,374 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.52000 $2.52
10 2.26400 $22.64
25 2.13640 $53.41
100 1.66630 $166.63
250 1.62356 $405.89
500 1.40992 $704.96
1,000 1.19630 $1,196.30

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPD600N25N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.17921
  • Digi-Reel®  : IPD600N25N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 6,374 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPD600N25N3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPD600N25N3GATMA1CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante IPD600N25N3GATMA1
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 250V 25A
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 25 A (Tc) 136W (Tc) PG-TO252-3

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos IPD600N25N3G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Embalaje de PCN Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 250V N-Channel Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 90µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2350pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 136W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

LTC4364HMS-2#TRPBF

IC SURGE STOPPER W/DIODE 16MSOP

Linear Technology/Analog Devices

$11.54000 Detalles

SSQ 15

FUSE BOARD MOUNT 15A 86VDC 2SMD

Bel Fuse Inc.

$0.47000 Detalles

LTC6103HMS8#PBF

IC CURR SENSE 2 CIRCUIT 8MSOP

Linear Technology/Analog Devices

$5.38000 Detalles

LTC3769EFE#PBF

IC REG CTRLR BOOST/SEPIC 20TSSOP

Linear Technology/Analog Devices

$7.19000 Detalles

FDT86246L

MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

ON Semiconductor

$0.62000 Detalles

MBR180S1-7

DIODE SCHOTTKY 80V 1A SOD123

Diodes Incorporated

$0.33000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPD600N25N3GATMA1CT