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IPD50P04P413ATMA1 Canal P Montaje en superficie 40V 50 A (Tc) 58 W (Tc) PG-TO252-3-313
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD50P04P413ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD50P04P413ATMA1

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Descripción MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 50 A (Tc) 58 W (Tc) PG-TO252-3-313

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD50P04P4-13
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Modelos de simulación OptiMOS-P2-Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 12.6 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 85 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 51nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3670pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 58 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-313
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
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Otros nombres IPD50P04P413ATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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04:05:25 12/17/2018