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IPD50N06S4L12ATMA2 Canal N Montaje en superficie 60V 50 A (Tc) 50 W (Tc) PG-TO252-3-11
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10 0.87000 $8.70
100 0.67120 $67.12
500 0.49716 $248.58
1,000 0.39772 $397.72

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD50N06S4L12ATMA2

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Descripción MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Copiar   MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 50 A (Tc) 50 W (Tc) PG-TO252-3-11

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD50N06S4L-12
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación Modelle OptiMOS-T2 60V Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 12 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 20 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 40nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2890pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 50 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPD50N06S4L12ATMA2CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
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17:17:02 12/16/2018