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IPD50N04S408ATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 50 A (Tc) 46 W (Tc) PG-TO252-3-313
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1 0.95000 $0.95
10 0.82700 $8.27
100 0.63810 $63.81
500 0.47270 $236.35
1,000 0.37815 $378.15

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD50N04S408ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD50N04S408ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 50 A (Tc) 46 W (Tc) PG-TO252-3-313

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD50N04S4-08
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.9 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 17 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 22.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1780pF @ 6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 46 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3-313
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
FDD8453LZCT-ND FDD8453LZ ON Semiconductor Cinta cortada (CT) ? 4,198 - Inmediata
$1.50000 1
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17:35:00 10/23/2018