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IPD320N20N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 200V 34 A (Tc) 136 W (Tc) PG-TO252-3
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1 3.24000 $3.24
10 2.92700 $29.27
100 2.35220 $235.22
500 1.82948 $914.74
1,000 1.51586 $1,515.86

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD320N20N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD320N20N3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 200V 34A
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 34 A (Tc) 136 W (Tc) PG-TO252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD320N20N3G
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 34 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32 mOhm a 34 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 90 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2350pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 136 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
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