USD
Favorito

IPD30N10S3L34ATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 30 A (Tc) 57W (Tc) PG-TO252-3
Precio y compra
45,450 En Stock
Disponible para envío inmediato
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.91000 $0.91
10 0.81400 $8.14
25 0.77240 $19.31
100 0.57920 $57.92
250 0.57372 $143.43
500 0.49098 $245.49
1,000 0.39995 $399.95

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPD30N10S3L34ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 45,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.38296
  • Digi-Reel®  : IPD30N10S3L34ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 45,450 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPD30N10S3L34ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
Copiar  
Fabricante

Copiar  
Número de pieza del fabricante IPD30N10S3L34ATMA1
Copiar  
Descripción MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Copiar  
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 30 A (Tc) 57W (Tc) PG-TO252-3

Copiar  
Documentos y medios
Hojas de datos IPD30N10S3L-34
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Test Add 27/Apr/2017
Embalaje de PCN Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Modelos de simulación OptiMOS-T-100V-Spice Model
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 31mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.4V a 29µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1976pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 57W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar

SD103AWS-7-F

DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD323

Diodes Incorporated

$0.38000 Detalles

DSILC6-4P6

TVS DIODE 5V SOT666

STMicroelectronics

$0.85000 Detalles

STD26NF10

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

STMicroelectronics

$1.25000 Detalles

TJA1042T/3,118

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SO

NXP USA Inc.

$1.35000 Detalles

USB2512BI-AEZG-TR

IC CONTROLLER USB 36QFN

Microchip Technology

$3.03000 Detalles
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPD30N10S3L-34CT
IPD30N10S3L-34CT-ND
IPD30N10S3L34ATMA1CT