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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
Cantidad disponible 8,297
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPD30N08S2L21ATMA1

Descripción MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 75V 30 A (Tc) 136 W (Tc) PG-TO252-3

Documentos y medios
Hojas de datos IPD30N08S2L-21
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Wafer Test Add 27/Apr/2017
Embalaje de PCN Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 75V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20.5 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 80 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1650pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 136 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT

07:09:07 7/23/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.56000 $1.56
10 1.38000 $13.80
100 1.09030 $109.03
500 0.84552 $422.76
1,000 0.66752 $667.52

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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