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IPD200N15N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 150V 50 A (Tc) 150 W (Tc) PG-TO252-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.86000 $2.86
10 2.58400 $25.84
100 2.07610 $207.61
500 1.61474 $807.37
1,000 1.33793 $1,337.93

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD200N15N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD200N15N3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 50 A (Tc) 150 W (Tc) PG-TO252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx200N15N3 G
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Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 150V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20 mOhm a 50 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 90 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1820pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Reemplazo directo ?
Número de pieza de Digi-Key Número de pieza del fabricante Fabricante Empaquetado Cantidad disponible Precio unitario Cantidad mínima
FDD86250CT-ND FDD86250 ON Semiconductor Cinta cortada (CT) ? 4,284 - Inmediata
$2.00000 1
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11:49:26 11/14/2018