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IPD200N15N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 150V 50 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO252-3
Precio y compra
7,811 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.40000 $2.40
10 2.15800 $21.58
25 2.03600 $50.90
100 1.58810 $158.81
250 1.54736 $386.84
500 1.34376 $671.88
1,000 1.14016 $1,140.16

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPD200N15N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.12387
  • Digi-Reel®  : IPD200N15N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,811 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPD200N15N3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPD200N15N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPD200N15N3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 50 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx200N15N3 G
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 20mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 90µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1820pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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