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IPD088N06N3GBTMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 50 A (Tc) 71W (Tc) PG-TO252-3
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1 1.14000 $1.14
10 1.01000 $10.10
100 0.79810 $79.81
500 0.61892 $309.46
1,000 0.48861 $488.61

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD088N06N3GBTMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD088N06N3GBTMA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 50 A (Tc) 71W (Tc) PG-TO252-3

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.8mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 34µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3900pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 71W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPD088N06N3 GCT
IPD088N06N3 GCT-ND
IPD088N06N3GBTMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPD088N06N3GBTMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 27,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.44275
  • Digi-Reel® ? : IPD088N06N3GBTMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 29,571 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

23:13:44 4/22/2019