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IPD082N10N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 80 A (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3
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1 1.81000 $1.81
10 1.63700 $16.37
100 1.31540 $131.54
500 1.02310 $511.55
1,000 0.84771 $847.71

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD082N10N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD082N10N3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 80 A (Tc) 125W (Tc) PG-TO252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx08xN10N3 G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.2mOhm a 73A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 75µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3980pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPD082N10N3GATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPD082N10N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.76626
  • Digi-Reel® ? : IPD082N10N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

13:11:55 4/23/2019