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IPD053N08N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 80V 90 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO252-3
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1 2.50000 $2.50
10 2.25800 $22.58
100 1.81450 $181.45
500 1.41132 $705.66
1,000 1.16937 $1,169.37

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD053N08N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD053N08N3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 90 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO252-3

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 90 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.3mOhm a 90A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 90µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 69nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4750pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPD053N08N3GATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPD053N08N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.05702
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,583 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

02:20:47 4/20/2019