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IPD053N06NATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 18 A (Ta), 45 A (Tc) 3 W (Ta), 83 W (Tc) PG-TO252-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.66000 $1.66
10 1.47100 $14.71
100 1.16250 $116.25
500 0.90154 $450.77
1,000 0.71174 $711.74

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD053N06NATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD053N06NATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 18 A (Ta), 45 A (Tc) 3 W (Ta), 83 W (Tc) PG-TO252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD053N06N
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Ta), 45 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.3 mOhm a 45 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8 V a 36 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 27nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta), 83 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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10:43:48 11/18/2018