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IPD034N06N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 100 A (Tc) 167 W (Tc) PG-TO252-3
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD034N06N3GATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 12,340
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD034N06N3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 100 A (Tc) 167 W (Tc) PG-TO252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD034N06N3 G
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Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.4 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 93 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11000pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 167 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres IPD034N06N3 GINCT
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IPD034N06N3GATMA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.88000 $1.88
10 1.69800 $16.98
100 1.36430 $136.43
500 1.06114 $530.57
1,000 0.87923 $879.23

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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