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IPD034N06N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 100 A (Tc) 167 W (Tc) PG-TO252-3
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1 1.75000 $1.75
10 1.58300 $15.83
100 1.27180 $127.18
500 0.98920 $494.60
1,000 0.81962 $819.62

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD034N06N3GATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 11,761
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD034N06N3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 100 A (Tc) 167 W (Tc) PG-TO252-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD034N06N3 G
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.4 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 93 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11000pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 167 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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IPD034N06N3GATMA1CT
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09:20:16 11/17/2018