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IPD031N06L3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 100 A (Tc) 167 W (Tc) PG-TO252-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.72000 $2.72
10 2.45800 $24.58
100 1.97490 $197.49
500 1.53604 $768.02
1,000 1.27271 $1,272.71

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPD031N06L3GATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 18,329
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPD031N06L3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 100 A (Tc) 167 W (Tc) PG-TO252-3

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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.1 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2 V a 93 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 79nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13000pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 167 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPD031N06L3 GCT
IPD031N06L3 GCT-ND
IPD031N06L3GATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPD031N06L3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 17,500 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 18,329 - Inmediata
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05:52:09 1/22/2019