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IPC50N04S55R8ATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 50 A (Tc) 42 W (Tc) PG-TDSON-8
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1 0.87000 $0.87
10 0.76300 $7.63
100 0.58860 $58.86
500 0.43598 $217.99
1,000 0.34878 $348.78

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 18,818
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPC50N04S55R8ATMA1

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 50 A (Tc) 42 W (Tc) PG-TDSON-8

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Documentos y medios
Hojas de datos IPC50N04S5-5R8
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Ensamble/origen de PCN IPCyyN04S5 Assembly Chgs 23/Oct/2018
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.8 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.4 V a 13 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1090pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 42 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPC50N04S55R8ATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 18,818 - Inmediata
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20:33:03 11/20/2018