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IPC302N12N3X1SA1 Canal N Montaje en superficie 120V 1 A (Tj) Aserrado en papel metálico
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPC302N12N3X1SA1-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPC302N12N3X1SA1

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Descripción MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 120V 1 A (Tj) Aserrado en papel metálico

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Documentos y medios
Hojas de datos IPC302N12N3
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 120V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 100 mOhm a 2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 275 µA
Vgs (máx.) -
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) -
Temperatura de operación -
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor Aserrado en papel metálico
Paquete / Caja (carcasa) Molde
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SP000717450

20:50:31 11/16/2018