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IPC100N04S51R2ATMA1 Canal N Montaje en superficie 40V 100 A (Tc) 150W (Tc) PG-TDSON-8-34
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.65000 $2.65
10 2.39400 $23.94
100 1.92390 $192.39
500 1.49638 $748.19
1,000 1.23986 $1,239.86

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND
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Cantidad disponible 7,391
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPC100N04S51R2ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 40V 100 A (Tc) 150W (Tc) PG-TDSON-8-34

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Documentos y medios
Hojas de datos IPC100N04S5-1R2
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 7V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.4V a 90µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 131nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7650pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-34
Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPC100N04S51R2ATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPC100N04S51R2ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 5,000
  • Cantidad disponible: 5,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.07922
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,391 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

21:52:40 4/20/2019