IPB80N06S2H5ATMA2 Canal N Montaje en superficie 55V 80 A (Tc) 300 W (Tc) PG-TO263-3-2
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND
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Número de pieza del fabricante

IPB80N06S2H5ATMA2

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Descripción MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 55V 80 A (Tc) 300 W (Tc) PG-TO263-3-2

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx80N06S2-H5
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación OptimOS Spice Model
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 55V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.2 mOhm a 80 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 230 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 155nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPB80N06S2H5ATMA2CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 1,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.41477

10:38:07 12/13/2018