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IPB65R310CFDATMA1 Canal N Montaje en superficie 650V 11.4 A (Tc) 104.2W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.39000 $2.39
10 2.14600 $21.46
25 2.02440 $50.61
100 1.57910 $157.91
250 1.53864 $384.66
500 1.33618 $668.09

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB65R310CFDATMA1TR-ND
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  • Precio unitario: $1.13372
  • Digi-Reel®  : IPB65R310CFDATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 14,265 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB65R310CFDATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB65R310CFDATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB65R310CFDATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 11.4 A (Tc) 104.2W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Documentos y medios
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 310mOhm a 4.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 400µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 41nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1100pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 104.2W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPB65R310CFDATMA1CT
IPB65R310CFDCT
IPB65R310CFDCT-ND