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IPB65R150CFDATMA1 Canal N Montaje en superficie 650V 22.4 A (Tc) 195.3W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.51000 $3.51
10 3.15200 $31.52
25 2.97960 $74.49
100 2.38360 $238.36
250 2.25116 $562.79
500 2.11872 $1,059.36

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  • Cinta y rollo (TR)  : IPB65R150CFDATMA1TR-ND
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  • Precio unitario: $1.81415
  • Digi-Reel®  : IPB65R150CFDATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,882 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB65R150CFDATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB65R150CFDATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB65R150CFDATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 22.4 A (Tc) 195.3W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Documentos y medios
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Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150mOhm a 9.3A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5V a 900µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 86nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2340pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 195.3W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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