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IPB65R065C7ATMA2 Canal N Montaje en superficie 650V 33 A (Tc) 171 W (Tc) PG-TO263-3
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 8.72000 $8.72
10 7.84800 $78.48
100 6.45250 $645.25
500 5.40612 $2,703.06

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB65R065C7ATMA2CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPB65R065C7ATMA2

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Descripción MOSFET N-CH TO263-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 33 A (Tc) 171 W (Tc) PG-TO263-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB65R065C7
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ C7
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 65 mOhm a 17.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 200 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3020pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 171 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPB65R065C7ATMA2CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPB65R065C7ATMA2TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $4.57142
  • Digi-Reel® ? : IPB65R065C7ATMA2DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

14:11:18 12/18/2018