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IPB60R165CPATMA1 Canal N Montaje en superficie 600V 21 A (Tc) 192W (Tc) PG-TO263-3-2
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.25000 $4.25
10 3.81400 $38.14
25 3.60560 $90.14
100 2.88450 $288.45
250 2.72424 $681.06
500 2.56400 $1,282.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB60R165CPATMA1TR-ND
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  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $2.19543
  • Digi-Reel®  : IPB60R165CPATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,480 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB60R165CPATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB60R165CPATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB60R165CPATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 21 A (Tc) 192W (Tc) PG-TO263-3-2

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB60R165CP
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 21 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 165mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 790µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 52nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 192W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
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