Agregar a favoritos
IPB60R099C6ATMA1 Canal N Montaje en superficie 600V 37.9 A (Tc) 278 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB60R099C6ATMA1CT-ND
Copiar   IPB60R099C6ATMA1CT-ND
Cantidad disponible 1,174
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IPB60R099C6ATMA1

Copiar   IPB60R099C6ATMA1
Descripción MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Copiar   MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 37.9 A (Tc) 278 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

Copiar   Canal N Montaje en superficie 600V 37.9 A (Tc) 278 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Documentos y medios
Hojas de datos IPx60R099C6
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Cambio de estado de la pieza PCN Mult Dev Wafer/MPN Chgs 17/May/2018
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 600V C6 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 37.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 18.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.21 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 119nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2660pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 278 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con
  • 2EDN7524FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524FXTMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8SOIC
  • Precio unitario $1.58000
  • 2EDN7524FXTMA1CT-ND
  • 2EDN7524RXUMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524RXUMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524RXUMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8TSSOP
  • Precio unitario $1.58000
  • 2EDN7524RXUMA1CT-ND
  • 2EDN7523FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7523FXTMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7523FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8DSO
  • Precio unitario $1.58000
  • 2EDN7523FXTMA1CT-ND
  • 2EDN7524FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524FXTMA1DKR-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8SOIC
  • Precio unitario Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • 2EDN7524FXTMA1DKR-ND
También le puede interesar
  • IPB60R160C6ATMA1 - Infineon Technologies | IPB60R160C6ATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • IPB60R160C6ATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263
  • Precio unitario $4.21000
  • IPB60R160C6ATMA1CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPB60R099C6ATMA1CT
IPB60R099C6CT
IPB60R099C6CT-ND
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.54000 $7.54
10 6.73000 $67.30
100 5.51860 $551.86
500 4.46870 $2,234.35

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPB60R099C6ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 1,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $3.65901
  • Digi-Reel® ? : IPB60R099C6ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,174 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

13:43:38 9/19/2018