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IPB60R060C7ATMA1 Canal N Montaje en superficie 650V 35 A (Tc) 162W (Tc) PG-TO263-3
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1 8.46000 $8.46
10 7.61800 $76.18
100 6.26380 $626.38
500 5.24808 $2,624.04

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB60R060C7ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPB60R060C7ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 650V 35 A (Tc) 162W (Tc) PG-TO263-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB60R060C7
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 600V C7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ C7
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 35 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 15.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 800 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2850pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 162W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-4, D²Pak (3 conductores + lengüeta), TO-263AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con
  • 2EDN7524FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524FXTMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8SOIC
  • Precio unitario $1.58000
  • 2EDN7524FXTMA1CT-ND
  • 2EDN7524RXUMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524RXUMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524RXUMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8TSSOP
  • Precio unitario $1.68000
  • 2EDN7524RXUMA1CT-ND
  • 2EDN7523FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7523FXTMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7523FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8DSO
  • Precio unitario $1.58000
  • 2EDN7523FXTMA1CT-ND
  • 2EDN7524FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524FXTMA1DKR-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8SOIC
  • Precio unitario Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • 2EDN7524FXTMA1DKR-ND
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  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3
  • Precio unitario $12.11000
  • IPB60R040C7ATMA1CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPB60R060C7ATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPB60R060C7ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $4.43777
  • Digi-Reel® ? : IPB60R060C7ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

22:34:14 10/23/2018