Agregar a favoritos
IPB600N25N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 250V 25 A (Tc) 136 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB600N25N3GATMA1CT-ND
Copiar   IPB600N25N3GATMA1CT-ND
Cantidad disponible 2,635
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IPB600N25N3GATMA1

Copiar   IPB600N25N3GATMA1
Descripción MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Copiar   MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 250V 25 A (Tc) 136 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

Copiar   Canal N Montaje en superficie 250V 25 A (Tc) 136 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Documentos y medios
Hojas de datos IPx600N25N3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 250V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 250V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 90 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2350pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 136 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • IPD600N25N3GATMA1 - Infineon Technologies | IPD600N25N3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • IPD600N25N3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 250V 25A
  • Precio unitario $3.14000
  • IPD600N25N3GATMA1CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPB600N25N3 GCT
IPB600N25N3 GCT-ND
IPB600N25N3GATMA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.33000 $3.33
10 3.01100 $30.11
100 2.41970 $241.97
500 1.88196 $940.98

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPB600N25N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 2,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.51392
  • Digi-Reel® ? : IPB600N25N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,635 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

11:45:20 9/21/2018