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IPB320N20N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 200V 34 A (Tc) 136W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.72000 $2.72
10 2.44200 $24.42
25 2.30840 $57.71
100 1.84680 $184.68
250 1.74420 $436.05
500 1.64160 $820.80

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB320N20N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.40562
  • Digi-Reel®  : IPB320N20N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,365 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB320N20N3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB320N20N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB320N20N3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 34 A (Tc) 136W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx320N20N3 G
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 34 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 32mOhm a 34A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 90µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 29nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2350pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 136W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar 1
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