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IPB180P04P4L02ATMA1 Canal P Montaje en superficie 40V 180 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO263-7-3
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.91000 $2.91
10 2.61000 $26.10
25 2.46760 $61.69
100 1.97410 $197.41
250 1.86440 $466.10
500 1.75472 $877.36

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB180P04P4L02ATMA1TR-ND
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  • Precio unitario: $1.50248
  • Digi-Reel®  : IPB180P04P4L02ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 7,481 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB180P04P4L02ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB180P04P4L02ATMA1
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Descripción MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 180 A (Tc) 150W (Tc) PG-TO263-7-3

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB180P04P4L-02
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.4mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 410µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 286nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 18700pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 150W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D²Pak (6 conductores + lengüeta)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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