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IPB120P04P4L03ATMA1 Canal P Montaje en superficie 40V 120 A (Tc) 136W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.83000 $2.83
10 2.54100 $25.41
25 2.39720 $59.93
100 1.86970 $186.97
250 1.82172 $455.43
500 1.58202 $791.01

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB120P04P4L03ATMA1TR-ND
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  • Precio unitario: $1.34232
  • Digi-Reel®  : IPB120P04P4L03ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 11,402 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB120P04P4L03ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB120P04P4L03ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB120P04P4L03ATMA1
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Descripción MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 40V 120 A (Tc) 136W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Documentos y medios
Hojas de datos IPx120P04P4L-03
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.1mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 340µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 234nC @ 10V
Vgs (máx.) ±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15000pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 136W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPB120P04P4L03ATMA1CT