Agregar a favoritos
IPB108N15N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 150V 83 A (Tc) 214 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB108N15N3GATMA1CT-ND
Copiar   IPB108N15N3GATMA1CT-ND
Cantidad disponible 36
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IPB108N15N3GATMA1

Copiar   IPB108N15N3GATMA1
Descripción MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
Copiar   MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 150V 83 A (Tc) 214 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

Copiar   Canal N Montaje en superficie 150V 83 A (Tc) 214 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Documentos y medios
Hojas de datos IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Automatic Opening Systems
Data Processing Systems
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Modelos de simulación OptiMOS™ Power MOSFET 150V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 150V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 83 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.8 mOhm a 83 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 160 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3230pF @ 75V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • IPB072N15N3GATMA1 - Infineon Technologies | IPB072N15N3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • IPB072N15N3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  • Precio unitario $6.82000
  • IPB072N15N3GATMA1CT-ND
  • IPD110N12N3GATMA1 - Infineon Technologies | IPD110N12N3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • IPD110N12N3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  • Precio unitario $2.32000
  • IPD110N12N3GATMA1CT-ND
  • IPB083N15N5LFATMA1 - Infineon Technologies | IPB083N15N5LFATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • IPB083N15N5LFATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
  • Precio unitario $6.34000
  • IPB083N15N5LFATMA1CT-ND
  • IPB144N12N3GATMA1 - Infineon Technologies | IPB144N12N3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • IPB144N12N3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3
  • Precio unitario $2.00000
  • IPB144N12N3GATMA1CT-ND
  • IPD200N15N3GATMA1 - Infineon Technologies | IPD200N15N3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • IPD200N15N3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  • Precio unitario $3.07000
  • IPD200N15N3GATMA1CT-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPB108N15N3 GCT
IPB108N15N3 GCT-ND
IPB108N15N3GATMA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.23000 $5.23
10 4.66900 $46.69
100 3.82880 $382.88
500 3.10038 $1,550.19

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPB108N15N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $2.53863
  • Digi-Reel® ? : IPB108N15N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 36 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

15:21:01 9/18/2018