Agregar a favoritos
IPB039N10N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 160 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO263-7
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB039N10N3GATMA1CT-ND
Copiar   IPB039N10N3GATMA1CT-ND
Cantidad disponible 2,448
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IPB039N10N3GATMA1

Copiar   IPB039N10N3GATMA1
Descripción MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Copiar   MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 160 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO263-7

Copiar   Canal N Montaje en superficie 100V 160 A (Tc) 214 W (Tc) PG-TO263-7
Documentos y medios
Hojas de datos IPB039N10N3 G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 160 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.9 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 160 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8410pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D²Pak (6 conductores + lengüeta), TO-263CB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
También le puede interesar
  • IRFS4010TRL7PP - Infineon Technologies | IRFS4010TRL7PPCT-ND DigiKey Electronics
  • IRFS4010TRL7PP
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
  • Precio unitario $4.66000
  • IRFS4010TRL7PPCT-ND
  • IPB036N12N3GATMA1 - Infineon Technologies | IPB036N12N3GATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • IPB036N12N3GATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
  • Precio unitario $7.35000
  • IPB036N12N3GATMA1CT-ND
  • IRLS4030TRL7PP - Infineon Technologies | IRLS4030TRL7PPCT-ND DigiKey Electronics
  • IRLS4030TRL7PP
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
  • Precio unitario $5.80000
  • IRLS4030TRL7PPCT-ND
  • IPB017N10N5ATMA1 - Infineon Technologies | IPB017N10N5ATMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • IPB017N10N5ATMA1
  • Infineon Technologies
  • MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
  • Precio unitario $7.94000
  • IPB017N10N5ATMA1CT-ND
  • STH185N10F3-6 - STMicroelectronics | 497-15469-1-ND DigiKey Electronics
  • STH185N10F3-6
  • STMicroelectronics
  • MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
  • Precio unitario $5.93000
  • 497-15469-1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPB039N10N3 GCT
IPB039N10N3 GCT-ND
IPB039N10N3GATMA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.30000 $3.30
10 2.98500 $29.85
100 2.39860 $239.86
500 1.86558 $932.79

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPB039N10N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 2,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.50075
  • Digi-Reel® ? : IPB039N10N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,448 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

08:06:44 9/22/2018