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IPB039N10N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 160 A (Tc) 214W (Tc) PG-TO263-7
Precio y compra
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.66000 $2.66
10 2.38500 $23.85
25 2.25000 $56.25
100 1.75500 $175.50
250 1.71000 $427.50
500 1.48500 $742.50

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB039N10N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 10,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.26000
  • Digi-Reel®  : IPB039N10N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 10,264 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB039N10N3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB039N10N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB039N10N3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 160 A (Tc) 214W (Tc) PG-TO263-7

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB039N10N3 G
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 160 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.9mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5V a 160µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8410pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D²Pak (6 conductores + lengüeta), TO-263CB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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