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IPB032N10N5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 166 A (Tc) 187 W (Tc) PG-TO263-7
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB032N10N5ATMA1-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPB032N10N5ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 166 A (Tc) 187 W (Tc) PG-TO263-7

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB032N10N5
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Chg 15/Jun/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 166 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.2 mOhm a 83 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8 V a 125 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 6970pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 187 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-8, D²Pak (7 conductores + lengüeta), TO-263CA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001607808
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1,000 3.33383 $3,333.83

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06:35:09 9/20/2018