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IPB027N10N5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 120 A (Tc) 250W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.47000 $4.47
10 4.01800 $40.18
25 3.79840 $94.96
100 3.03860 $303.86
250 2.86976 $717.44
500 2.70096 $1,350.48

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB027N10N5ATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 1,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $2.31270
  • Digi-Reel®  : IPB027N10N5ATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,060 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB027N10N5ATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB027N10N5ATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB027N10N5ATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 120 A (Tc) 250W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB027N10N5
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.7mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8V a 184µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 139nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 10300pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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