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IPB025N10N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 100V 180 A (Tc) 300 W (Tc) PG-TO263-7
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB025N10N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPB025N10N3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 180 A (Tc) 300 W (Tc) PG-TO263-7

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB025N10N3 G
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Producto destacado Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 275 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 206nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14800pF @ 50V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D²Pak (6 conductores + lengüeta)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
Otros nombres IPB025N10N3 GCT
IPB025N10N3 GCT-ND
IPB025N10N3GATMA1CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.20000 $7.20
10 6.48300 $64.83
100 5.33060 $533.06
500 4.46620 $2,233.10

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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16:18:27 9/18/2018