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IPB025N08N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 80V 120 A (Tc) 300 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB025N08N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPB025N08N3GATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 120 A (Tc) 300 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB025N08N3 G
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Producto destacado Data Processing Systems
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 80V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.5 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 206nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14200pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Otros nombres IPB025N08N3 GCT
IPB025N08N3 GCT-ND
IPB025N08N3GATMA1CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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23:54:42 11/15/2018