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IPB024N08N5ATMA1 Canal N Montaje en superficie 80V 120 A (Tc) 214 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB024N08N5ATMA1-ND
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Cantidad disponible 0
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPB024N08N5ATMA1

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Descripción MOSFET N-CH 80V TO263-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 80V 120 A (Tc) 214 W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB024N08N5
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Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Mult Dev Wafer Chg 15/Jun/2018
Modelos de simulación MOSFET OptiMOS™ 80V N-Channel Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.4 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8 V a 154 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 123nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8970pF @ 40V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres SP001227044
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1,000 2.34094 $2,340.94

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14:59:34 9/25/2018