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IPB019N06L3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 120 A (Tc) 250W (Tc) D²PAK (TO-263AB)
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.68000 $2.68
10 2.41000 $24.10
25 2.27800 $56.95
100 1.82250 $182.25
250 1.72124 $430.31
500 1.62000 $810.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB019N06L3GATMA1TR-ND
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  • Cantidad disponible: 4,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.38713
  • Digi-Reel®  : IPB019N06L3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 4,406 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB019N06L3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB019N06L3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB019N06L3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 120 A (Tc) 250W (Tc) D²PAK (TO-263AB)

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB019N06L3 G
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.9mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.2V a 196µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 166nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 28000pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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