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IPB017N06N3GATMA1 Canal N Montaje en superficie 60V 180 A (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-7
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.88000 $2.88
10 2.58800 $25.88
25 2.44680 $61.17
100 1.95750 $195.75
250 1.84876 $462.19
500 1.74000 $870.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IPB017N06N3GATMA1TR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 12,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.48988
  • Digi-Reel®  : IPB017N06N3GATMA1DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,981 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IPB017N06N3GATMA1

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IPB017N06N3GATMA1CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IPB017N06N3GATMA1
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Descripción MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
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Plazo estándar del fabricante 13 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 180 A (Tc) 250W (Tc) PG-TO263-7

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Documentos y medios
Hojas de datos IPB017N06N3
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 180 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.7mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 196µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 275nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 23000pF @ 30V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-7
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-7, D²Pak (6 conductores + lengüeta)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres IPB017N06N3 GCT
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IPB017N06N3GATMA1CT