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10 2.73100 $27.31
100 2.22580 $222.58
500 1.76644 $883.22
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPAN80R360P7XKSA1-ND
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Cantidad disponible 205
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPAN80R360P7XKSA1

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Descripción MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220
Copiar   MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 13 A (Tc) 30 W (Tc) PG-TO220 paquete completo

Copiar   Canal N Orificio pasante 800V 13 A (Tc) 30 W (Tc) PG-TO220 paquete completo
Documentos y medios
Hojas de datos IPAN80R360P7
Ensamble/origen de PCN IPANyyy Assembly Site Add 11/Jan/2018
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 800V P7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ P7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 13 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 360 mOhm a 5.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 280 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 930pF @ 500V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
Por lo general se compran juntos
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02:36:13 12/13/2018