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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA90R1K2C3XKSA1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA90R1K2C3XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 900V 5.1 A (Tc) 31 W (Tc) PG-TO220-FP

Documentos y medios
Hojas de datos IPA90R1K2C3
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Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 900V C3 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 2.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 310 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 710pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 31 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA90R1K2C3
IPA90R1K2C3-ND
Q4141204
SP000413714

22:10:41 8/19/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.90000 $1.90
10 1.71300 $17.13
100 1.37660 $137.66
500 1.07066 $535.33
1,000 0.88711 $887.11

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