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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA80R1K2P7XKSA1-ND
Cantidad disponible 480
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA80R1K2P7XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 800V 4.5 A (Tc) 25 W (Tc) PG-TO220 paquete completo

Documentos y medios
Hojas de datos IPA80R1K2P7
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 800V P7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ P7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 1.7 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 80 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 300pF @ 500V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001644600

00:51:55 8/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.61000 $1.61
10 1.42600 $14.26
100 1.12730 $112.73
500 0.87422 $437.11
1,000 0.69017 $690.17

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