Agregar a favoritos
IPA65R045C7XKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 18 A (Tc) 35 W (Tc) PG-TO220-FP
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
500 8.33866 $4,169.33

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA65R045C7XKSA1-ND
Copiar   IPA65R045C7XKSA1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

IPA65R045C7XKSA1

Copiar   IPA65R045C7XKSA1
Descripción MOSFET N-CH 650V TO220-3
Copiar   MOSFET N-CH 650V TO220-3
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 18 A (Tc) 35 W (Tc) PG-TO220-FP

Copiar   Canal N Orificio pasante 650V 18 A (Tc) 35 W (Tc) PG-TO220-FP
Documentos y medios
Hojas de datos IPA65R045C7
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Ensamble/origen de PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
Modelos de simulación CoolMOS™ Power MOSFET 650V C7 Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ C7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 24.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1.25 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 93nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4340pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Para usar con
  • 2EDN7524FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524FXTMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8SOIC
  • Precio unitario $1.58000
  • 2EDN7524FXTMA1CT-ND
  • 2EDN7524RXUMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524RXUMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524RXUMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8TSSOP
  • Precio unitario $1.68000
  • 2EDN7524RXUMA1CT-ND
  • 2EDN7523FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7523FXTMA1CT-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7523FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8DSO
  • Precio unitario $1.58000
  • 2EDN7523FXTMA1CT-ND
  • 2EDN7524FXTMA1 - Infineon Technologies | 2EDN7524FXTMA1DKR-ND DigiKey Electronics
  • 2EDN7524FXTMA1
  • Infineon Technologies
  • IC GATE DRVR 8SOIC
  • Precio unitario Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • 2EDN7524FXTMA1DKR-ND
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001080092

00:10:50 11/18/2018