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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA60R750E6XKSA1-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA60R750E6XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 26 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 5.7 A (Tc) 27 W (Tc) PG-TO-220-FP

Documentos y medios
Hojas de datos IPx60R750E6
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 170 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17.2nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 373pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 27 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 750 mOhm a 2 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA60R750E6
IPA60R750E6-ND
SP000842480

01:32:01 5/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.50000 $1.50
10 1.32400 $13.24
100 1.04670 $104.67
500 0.81172 $405.86
1,000 0.64084 $640.84

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