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IPA60R460CEXKSA1 Canal N Orificio pasante 600V 9.1 A (Tc) 30 W (Tc) PG-TO-220-FP
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10 1.21700 $12.17
100 0.97510 $97.51
500 0.77064 $385.32
1,000 0.62192 $621.92
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA60R460CEXKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPA60R460CEXKSA1

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Descripción MOSFET N-CH 600V TO-220-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 9.1 A (Tc) 30 W (Tc) PG-TO-220-FP

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Documentos y medios
Hojas de datos IPD60R460CE, IPA60R460CE
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ CE
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 460 mOhm a 3.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 280 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620pF @ 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Temperatura de operación -40 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001276042

19:38:43 12/15/2018