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IPA60R170CFD7XKSA1 Canal N Orificio pasante 650V 8 A (Tc) 26 W (Tc) PG-TO220 paquete completo
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.34000 $3.34
10 3.01600 $30.16
100 2.42330 $242.33
500 1.88476 $942.38
1,000 1.56166 $1,561.66
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA60R170CFD7XKSA1-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IPA60R170CFD7XKSA1

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Descripción MOSFET N-CH TO220FP-3
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 8 A (Tc) 26 W (Tc) PG-TO220 paquete completo

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Documentos y medios
Hojas de datos IPA60R170CFD7
Archivo de video Infineon 600 V CoolMOS MOSFET Family | Digi-Key Daily
Producto destacado 600 V CoolMOS™ CFD7 MOSFET Family
Modelos de simulación MOSFET CoolMOS™ CFD7 600V Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ CFD7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 170 mOhm a 6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 300 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1199pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 26 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220 paquete completo
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • MOSFET N-CH TO220-3
  • Precio unitario $3.53000
  • IPP60R170CFD7XKSA1-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA60R170CFD7
SP001617978

06:03:45 12/11/2018