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FF11MR12W1M1B11BOMA1 MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 1200V (1.2kV) 100A Montaje de chasis Módulo
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10 136.85700 $1,368.57
25 133.83800 $3,345.95
100 124.78120 $12,478.12
250 123.77492 $30,943.73
500 120.75600 $60,378.00

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FF11MR12W1M1B11BOMA1

Hoja de datos
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Número de pieza del fabricante FF11MR12W1M1B11BOMA1
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Descripción MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
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Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Dos canal N (doble) 1200V (1.2kV) 100A Montaje de chasis Módulo

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Documentos y medios
Hojas de datos FF11MR12W1M1_B11
CoolSiC™ MOSFET Brief
Diseño/especificación de PCN Mult Dev Datasheet Rev 28/Aug/2018
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Infineon Technologies
Serie CoolSiC™
Embalaje Bandeja 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Dos canal N (doble)
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100A
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 100A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id 5.55V a 40mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250nC a 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7950pF a 800V
Potencia - Máx. -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje de chasis
Paquete / Caja (carcasa) Módulo
Paquete del dispositivo del proveedor Módulo
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) No aplicable
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Recursos adicionales
Envase estándar 24
Otros nombres FF11MR12W1M1_B11
SP001602204